宋海智——電子科技大學研究員

宋海智，男，1968年10月出生。現任電子科技大學基礎與前沿研究院，教授，博士生導師。

教育及工作經歷： 

2015-今電子科技大學　　　　教授

2014-今西南技術物理所　　　研究員

2012-2014日本東京大學　　　　特聘高級研究員

2004-2014日本富士通研究所　　高級研究員

2001-2004日本富士通研究所　　研究員

1998-2001日本筑波大學　　　　助教

1997-1998比利時魯汶大學　　　訪問研究員

1995-1997南北京大學 博士

1986-1990南京大學 學士

博士招生專業： 

080300光學工程

　01方向：光通信與集成光學

　02方向：激光技術及應用

　03方向：敏感電子學與傳感器技術

碩士招生專業：

070200物理學

　01方向：凝聚態物理

　02方向：光學

　03方向：量子物理與量子信息

研究方向：

長期從事半導體光電子材料和器件的研究。

曾在多項日本國家科研項目中擔任專項技術主持人。成功開發了半導體量子點激光器材料的生產技術。主持設計和研制了1.06um半導體量子阱激光器。

發明專利：

[1]謝修敏,宋海智,徐強,代千,陳劍,袁鎏,張偉,余麗波. 一種用于加寬紅外增強透射譜的薄膜金屬結構[P]. CN209296964U,2019-08-23.

[2]周強,李斌,鄧光偉,周恒,宋海智,王浟. 一種外門控單光子探測光時域反射測量方法[P]. CN110120835A,2019-08-13.

[3]周強,鄧光偉,宋海智,王浟. 一種能量-時間糾纏雙光子產生方法[P]. CN109656078A,2019-04-19.

[4]謝修敏,宋海智,徐強,代千,陳劍,袁鎏,張偉,余麗波. 一種用于加寬紅外增強透射譜的薄膜金屬結構[P]. CN109581552A,2019-04-05.

[5]徐軍,趙廣軍,劉軍芳,宋海智. 摻釹釔鋁石榴石和釔鋁石榴石復合激光晶體的制備方法[P]. CN1424437,2003-06-18.

發表英文論文：

1.H. Z. Song and X. M. Bao, "Visible photoluminescence from silicon-ion implanted SiO2 film and its multiple mechanisms", Phys. Rev. B 55, 6988 (1997) .

2.H. Z. Song et al., "Intense ultraviolet photoluminescence from sputtered silicon-oxide film", Appl. Phys. Lett. 72, 356 (1998).

3.H. -Z. Songet al., “Distribution of gap states in amorphous selenium thin films”, Phys. Rev. B. 59(16), 10607(1999).

4.H. Z. Song et al., “In-plane photocurrent of self-assembled InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots arrays”, Phys. Rev. B 64, 085303 (2001).

5. T. Ota et al.,“Single-Dot Spectroscopy via Elastic Single-Electron Tunneling through a Pair of Coupled Quantum Dots ”, Phys. Rev. Lett. 93, 066801 (2004).

6.H.Z. Song et al., “Scanning tunneling microscope study of capped quantum dots”, Appl. Phys. Lett. 85, 2355 (2004).

7.H.Z. Song et al.,“Site-controlled photoluminescence at telecommunication wavelength from InAs/InP quantum dots”,Appl. Phys. Lett. 86, 113118 (2005).

8.H.Z.Song et al., “Formation of InAs/GaAs quantum dots from a subcritical InAs wetting layer: A reflection high-energy electron diffraction and theoretical study”, Phys. Rev. B 73, 115327 (2006).

9.H. Z. Song et al., “Design of Si/SiO2 micropillar cavities for Purcell-enhanced single photon emission at 1.55 mm from InAs/InP quantum dots” ,Opt. Lett. 38, 3241 (2013).

10.H. Z. Song et al., “High quality-factor Si/SiO2-InP hybrid micropillar cavities with submicrometer diameter for 1.55-um telecommunication band” ,Opt. Exp.23(12), 16264-16272 (2015).

發表中文期刊論文：

[1]黃帥,張偉,席琪,趙新華,謝修敏,徐強,周強,宋海智.1.55?m單光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的魯棒性研究[J/OL].激光技術:1-9[2020-01-06].http://kns.cnki.net/kcms/detail/51.1125.TN.20191223.1006.002.html.

[2]黃興勇,陳大欽,沈必舟,宋海智.Preparation and 1.06μm Fluorescence Decay of Nd~(3+)-Doped Glass Ceramics Containing NaYF_4 Nanocrystallites[J].Chinese Physics Letters,2019,36(08):51-55.

[3]吳鵬,范云茹,郭嘉偉,劉曉旭,周強,鄧光偉,宋海智,王浟.納秒脈沖激光加工高反射率鋁膜[J].激光技術,2019,43(06):779-783.

[4]楊赟秀,袁菲,路小龍,景立,鄧世杰,咼長冬,宋海智,張偉.基于InGaAs蓋革模式APD探測器的主動淬滅電路設計[J].半導體技術,2019,44(05):329-334.

[5]石柱,代千,宋海智,謝和平,覃文治,鄧杰,柯尊貴,孔繁林.低暗計數率InGaAsP/InP單光子雪崩二極管[J].紅外與激光工程,2017,46(12):279-285.

[6]戴萌曦,李瀟,石柱,代千,宋海智,湯自新,蒲建波.多級倍增超晶格InGaAs雪崩光電二級管的增益-噪聲特性[J].紅外與激光工程,2016,45(05):119-125.

[7]鮑希茂,宋海智.硅基發光材料研究進展[J].材料研究學報,1997(06):601-611.

[8]宋海智,鮑希茂.Si~+注入熱生長SiO_2的光致發光激發譜與光電子能譜[J].半導體學報,1997(11):820-824.

[9]林軍,張麗珠,陳志堅,宋海智,姚德成,段家忯,傅濟時,張伯蕊,秦國剛.多孔硅藍光發射與發光機制[J].物理學報,1996(01):121-125.

[10]張伯蕊,張麗珠,宋海智,姚光慶,段家忯,泰國剛.大氣中長期存放與長時間熱氧化后多孔硅光致發光峰能量的會聚[J].物理學報,1995(11):1825-1830.

[11]段家忯,姚光慶,張麗珠,張伯蕊,宋海智,秦國剛.多孔硅光致發光譜中雙峰結構隨激發光波長的變化與發光機制[J].半導體學報,1995(04):268-271.

[12]元民華,喬永平,宋海智,金泗軒,秦國剛.零偏退火與反偏退火對含氫的Au／n－Si肖特基勢壘的控制[J].物理學報,1994(06):1017-1023.

[13]金泗軒,元民華,王蘭萍,宋海智,王海萍,秦國剛International Center for Material Physics,Academia Sinica,Shenyang 110015,PRC,and Department of Physics,Peking University,Beijing 100871,PRC.Controlling the Schottky Barrier Height of Ti/n-GaAs Schottky Diode Containing Hydrogen by Biased Annealing[J].Science in China,Ser.A,1994(06):730-737.

[14]陳存禮,宋海智,華文玉.同時形成用于淺結器件的TiN_xO_y/TiSi_2的熱穩定性[J].應用科學學報,1993(03):253-257.

[15]金泗軒,元民華,王蘭萍,王海萍,宋海智,秦國剛.偏置退火對含氫Ti/n-GaAs Schottky勢壘的控制作用[J].中國科學(A輯 數學 物理學 天文學 技術科學),1993(06):617-622.

發表會議論文：

[1]鄭焱真.宋海智. 用做1.55?m光纖量子通信單光子源的InP/InGaAsP微柱型諧振腔[C]. 中國電子學會通信學分會、中國通信學會光通信委員會、中國光學學會纖維光學與集成光學專業委員會.全國第17次光纖通信暨第18屆集成光學學術會議——無源、有源光器件和光子集成回路.中國電子學會通信學分會、中國通信學會光通信委員會、中國光學學會纖維光學與集成光學專業委員會:南京光通信與光電子技術學會,2015:13-17.

榮譽獎勵：

1、獲得日本文科省科技獎。

2、經產省大臣獎等多項國家級和國際獎項。

作為新興、前沿的科技領域，量子技術在近年來發展迅速，已成為國家科技發展戰略的重要組成部分。2017年有報告統計，我國在量子科技領域的投入和產出綜合排名世界第二。對于量子的研究，還有人說，在當前的信息技術中，量子科技是最具革命性前景的，可以顛覆人類未來量子科技的未來充滿無限可能，人類生活和社會生產都將因量子科技而深刻改變。量子科技除了對經濟社會產生深刻影響外，量子相關技術對國防事業更是至關重要。

發展量子技術已是大勢所趨，而半導體光電子材料是發展量子科技的關鍵支撐，只有解決材料基礎問題，才能掌握該領域的主動權。而宋海智從事的正是這樣一項事業半導體光電子材料和器件研究。2014年，宋海智以國家千人計劃特聘專家身份全職回國，放棄海外10多年的優越工作和生活，先后加入西南技術物理研究所和電子科技大學，充分發揮其在量子技術領域的專長，立志填補國內光電子材料領域空白，并成功突破瓶頸，初步實現了相關材料的自主研制。

負笈求學，玉汝于成揚眉

從1986年到1997年，從南京大學到北京大學，再回到南京大學，這一路上，宋海智完成了本科、博士、博士后的學習和研究，而不變的是他一直在自己最感興趣的半導體物理領域里奮斗著。10多年的專業積累，為宋海智的成長打下了堅實基礎。學海無涯，特別是當攀登科研這座高峰時。于是，1998年，宋海智決定到比利時魯汶大學物理系作訪問學者。在那兒也學了不少東西，雖然時間短，但還是很長見識。

說到半導體行業，尤其是材料行業，那就不得不說到日本。日本在半導體以及材料行業的地位，一直處于世界頂尖。這對宋海智無疑有著最大的吸引力，要想接觸到最前沿的技術，要想在半導體及材料領域做出一番事業，必須去日本。1998年，宋海智決定遠赴東洋，而這一待就是16年，同時也鑄就了他人生中的一段輝煌征程。這16年里，他先后在日本筑波大學物理工學系任助教，在日本富士通研究所納米技術研究中心任研究員，又在富士通研究所納米電子研究中心任高級研究員，同時兼職日本東京大學量子電子情報研究機構高級研究員。其中，在富士通的工作時間長達10年之久，這也是宋海智高產的重要階段。

這期間，他發明了半導體量子點量子運算陣列制備技術，并產生廣泛的國際影響，為學界同行不斷模仿跟蹤；成功開發了1.3微米半導體量子點激光器材料的生產技術，其器件曾獲得日本文科省科技獎、經產省大臣獎等多項國家級和國際獎項，該器件完成量產化后市場表現良好；主持設計和研制了1.06微米半導體量子阱激光器，以此為基礎制成的純綠色激光器已經產品化；研究設計了高性能1.55微米半導體量子點單光子源，以此實現了120km光纖量子密鑰分配。

作為晶片生產技術負責人，宋海智成功研制的1.3微米半導體量子點激光器有著其他產品無法比擬的優良特性：單模輸出，最高工作溫度200℃, 無錯傳輸距離>20km。與具有國際先進水平的德國Innolume公司相關產品相比，在直接調制比特率和穩定工作溫度等指標方面處于均處于優勢地位。該產品性能為國際最高水平，在日本QDLaser公司已經量產化，并用于高速光纖通訊（國內尚未有實用化的類似產品）。

作為材料生長、芯片工藝及質量評價負責人，宋海智成功開發的純綠色半導體激光器，產品性能也同樣處于國際先進水平：單模輸出，色純度532nm，調制帶寬>100MHz。該產品已經由QDLaser公司量產化,將用于下一代微型投影儀等顯示設備（國內尚未見類似產品的開發成果）。

長期從事半導體光電子材料和器件的研究以來，宋海智已發表學術論文120余篇，授權美國、歐洲、日本技術專利達25項，并多次在國際學術會議上作特邀報告。

面對如此多的驕人成績，宋海智直言：完成了幾項產品設計和開發，我覺得這是我工作最驕傲的地方。說實話，做產品這一路，都是一步一個腳印走過來的。多年在日本的工作的切身經歷，讓宋海智感受最深的就是：在做科研方面，日本人并不一定比我們更有創造性，但是他們做一件事情能做得非常精細，做得非常到位。而這種精益求精的科研態度，也深深影響著他。

學成歸國，助推光電材料

盡管在國外10余年創下了累累碩果，但這對宋海智來說，并不是真正的價值實現。多少個日日夜夜，隔海而望的祖國時時刻刻牽繞在他心中。用我所學，回報祖國，服務國家，希望能在光電子材料領域填補國內空白。這才是宋海智最大的理想。

于是，在2014年，宋海智毅然選擇全職回國。在他看來，回國有三大考慮：一是科研做到一定程度，要尋找新的挑戰。國內科研形勢一片大好，每個人都干勁很足，在不斷的出成果，這種積極的氛圍非常吸引人；二是個人的價值實現，要在科研中做出成就感；第三是實實在在的，發揮在國外這么多年所學所得，希望為咱們國內解決某一方面的問題，能夠貢獻一點力量。在半導體光電子材料這一方面，國內產品的材料需求主要還是依靠進口，材料問題還沒有徹底解決，尤其是軍需品，如果基礎材料受制于人就會很被動，只有掌握了這方面的核心技術，自給自足，自主開發，才能掌握主動權。

我就希望我可以有這個能力回來解決這個問題。宋海智直言，我有這個責任，而且我相信我也有這個能力，在半導體光電子材料方面，至少部分地解決我們國內的需求。

III-V族半導體多層異質結光電材料是發展近紅外半導體光電器件的基礎核心材料,是影響近紅外半導體光電探測器與激光器性能的關鍵因素。該異質結材料制備的水平直接關系到近紅外半導體光電探測器的量子轉化效率、雪崩倍增因子、光譜響應范圍、噪聲因子與響應時間等關鍵性能指標；而近紅外半導體光電探測器作為基礎核心器件，其性能直接影響近紅外激光武器系統（包括激光制導、激光預警、激光成像探測等）的探測靈敏度、探測波段、探測距離等關鍵戰技指標。同時，III-V族半導體多層異質結光電材料也是研制半導體激光器等其他光電器件的核心基礎材料，因而具有廣泛的戰略意義和研究價值。

據宋海智介紹，目前國內自主研發的III-V族半導體多層異質結光電材料，在材料的均勻性、組分精確控制、膜層厚度精確控制等質量方面與日本、美國的材料制備水平存在一定的差距，并不能滿足我國軍用近紅外半導體光電器件，特別是具有量子結構的近紅外光電探測器的研制需要。而國外研制的高性能III-V族半導體多層異質結光電材料對我國嚴格禁運，這嚴重制約了我國近紅外光電探測器的發展。因此，開展高性能多層異質結光電材料研制能夠大大縮短我國在核心光電器件領域同國外的差距。

而宋海智所掌握的異質結半導體材料生長的精密制備技術已成功地運用于半導體光電子器件（主要包括半導體光電探測器和半導體激光器），其中新型的半導體量子點激光器，目前在國外即將進入實用階段，國內的開發尚有待展開。

除了擁有堅實的半導體物理理論基礎，宋海智在半導體光電子學領域還有著20多年的研發經驗，不但掌握了利用MBE(分子束外延)、MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)等手段制備多層異質結光電材料的核心技術，而且在III-V族半導體多層異質結光電材料的研制上獨有專長。這將有力地推動國內軍用半導體光電子器件的發展，大大縮短國內半導體多層異質結構材料的制備技術與國際前沿水平的差距。

2014年全職回國后，宋海智首先選擇加入西南技術物理研究所，負責光電子材料的研發。在宋海智看來，做光電子材料，首先要選擇突破口和切入點，而這個突破口就是西南技術物理研究所。

西南技術物理研究所肩負著發展國內激光材料、激光探測器、激光器及激光武器應用的重要使命，不言而喻，高性能的光電材料是其研發基礎的重中之重。

在大面陣雪崩探測器的制備上，由于國際上軍用面陣探測器材料對我國嚴格禁運，這就使我們的焦平面探測器無法實現完全國產化，瓶頸始終沒有突破，極大地限制了激光成像探測技術及其應用裝備的發展。而憑借多年掌握的多層異質結光電子材料制備的核心技術，尤其是在III-V族半導體多層異質結光電子材料方面的專長，宋海智將為激光焦平面探測器的研制解決基礎問題材料。在宋海智和團隊的共同努力下，目前，該所研制材料的綜合技術參數已與國際先進水平相當，初步克服了激光焦平面探測器國產化的瓶頸難題，從而有力提升我國軍用半導體光電探測器的綜合性能，促進激光成像雷達等先進光電武器裝備的發展，大大縮短與國外先進水平的差距。

以雪崩探測器所需要的材料作為切入點，經過不斷研究，宋海智和團隊已基本實現了半導體雪崩光電探測器材料的自主研制。

借科大之力，搭建西部平臺

2015年6月，在電子科技大學基礎與前沿研究院和光電信息學院的聯合引進下，宋海智加入了電子科大。在這里，他將充分發揮在科研院所和產業界長期積累的優勢，結合電子科技大學的學科特點，展現其在基礎研究領域引領性作用，致力于學科建設和人才培養，推動學校在光電學科領域的發展。

宋海智表示，自己也非常榮幸成為成電子科大的一份子。他說，電子科大有著深厚的歷史積淀和良好的學術氛圍，感謝學校提供的良好基礎研究和創新平臺。這兩三年來，他依托基礎與前沿研究院和光電信息學院，努力為學校作出應有的貢獻。

除了半導體光電子材料的研究，宋海智比較感興趣的還有量子信息研究。目前，宋海智在電子科技大學正著力進行量子信息器件方面的相關研究。

近幾年來，關于量子信息研究的相關報道異常火熱，我國成功發射量子衛星及其相關量子通信試驗，在國際相關研究領域帶來了重大影響。有人稱，在當前的信息技術中，量子科技是最具革命性前景的，將顛覆人類未來。無論是在量子芯片、量子通信和量子計算等量子效應的深度應用，還是在顯示的初露鋒芒，量子科技都呈現出了充滿無限想象的未來。

而早在十幾年前，宋海智就開始了量子信息的研究，產出了一批發明專利。在日本東京大學量子電子情報研究機構工作期間，又參與實現了遠距離光纖量子通信。根據這些經驗，盡管量子技術的相關研究比較火熱，但仍然存在著一系列瓶頸問題。宋海智表示：“目前量子技術所需要的一些器件還不成熟，我們想通過我們的半導體技術，來解決現在面臨的實際問題。

毫無疑問，我國在量子信息領域的研究已處于世界前沿水平，但宋海智明顯感覺到:國內在這一方面的發展還不平衡，東西部差距還很明顯。能不能在西部也建立量子信息研究基地？這成了宋海智的一個想法，并致力于推動平臺的建設。

除了個人興趣，宋海智坦言，自己也有一點野心：抓住目前國內以及世界整體發展的方向，在基礎技術方面跟上國際步伐；能有所創新，擁有我們自己的自主知識產權的量子產品。對于目前的工作，宋海智表示：我們會重點解決量子信息技術在實現應用或者產業化過程中遇到的必須解決的器件問題。

眼下，宋海智正在建設兩班團隊，有條不紊地開展相關研究工作。在團隊建設和人才培養上，宋海智也有自己的心得和原則：團隊要有一個開放的體制；培養學生不只是為項目、為團隊培養，更要為社會培養，要有一個開放的心態和眼光；要培養一批能夠支撐起半導體光電材料整個產業的人才。

我們的目標就是要建立我們國家自己的半導體光電子材料生產平臺，將來我們國內光電子器件生產所需材料都由我們自己來提供。盡管萬事開頭難，前期啟動性質的基礎工作并不好做，但宋海智始終滿懷信心，同時他表示，要做成這么一件有意義的事，并非一人或一個單位所能完成的，希望能聯合其他單位的有關專家一起做。明知山有虎，偏向虎山行。宋海智清楚知道前面的路并不好走，回國這3年他也從未停止過努力，為獲得民間資本或地方政府資助，他一直在奔波著。

最后，宋海智表達了自己的殷切期望：如果地方或者國家層面能夠再給予更大的扶持和支持的力度的話，我想我們的目標一定指日可待。宋海智很認真地說道：無論如何，我們自己永不退縮，會朝著建立和完善我國半導體光電子材料產業的目標不斷地前行。

專家簡介：

宋海智，國家千人計劃特聘專家，電子科技大學教授。1990年畢業于南京大學物理系半導體物理與器件專業，獲理學學士學位；1995年畢業于北京大學物理系凝聚態物理專業，獲理學博士學位；1997年完成南京大學物理系博士后研究；1998年赴比利時魯汶大學物理系作訪問學者；1998～2001年，在日本筑波大學物理工學系任助教；2001～2004年，在日本富士通研究所納米技術研究中心任研究員；2004～2014年，在日本富士通研究所納米電子研究中心任高級研究員，同時兼職日本東京大學量子電子情報研究機構高級研究員。長期從事半導體光電子材料和器件的研究，至今已發表學術論文120多篇，授權美國、歐洲、日本技術專利25項，多次在國際學術會議上作特邀報告,并成功研發了多種半導體光電子產品。

來源于：科學中國人2017年9月中